第352章 嘎嘣，碎了！(1/2)
「这叫加压固态再结晶法，晶粒长大的主要驱动力来自快速淬火后形成的多晶的界面能。」
这话听得俞允成有点懵，但是先不管那麽多，高振东给出了解释，自己回去再翻书就好，虽然不一定能翻得到。
见高振东这麽笃定，俞允成对于这个理论的可信度还是比较乐观的，至少这个听起来比较奇怪的方法，不是完全没有理论依据，虽然这个理论暂时他还不怎麽明白，但是好像至少高振东是明白的。
见他已经至少是接受了这种方法的原理，高振东才给他说起细节。
「退火结单晶的时候，其实和『拉』这个动作已经没什麽关系了，之所以选择这个办法，主要原因就是它不需要结晶控制机构，对温度控制精度的要求也不是太高。」
这对于俞允成来说倒是意外之喜，拉矽单晶的时候跟伺候生孩子似的。
温度高了不行，低了不行；温度梯度大了不行，小了不行；拉快了不行，拉慢了也不行；坩埚转快了不行，转慢了还是不行
听见这种方法不需要结晶控制，他顿时觉得天都亮了，这个方法选得好啊。
然后他就听见了一个不那麽美妙的消息，正如高振东前面所说，这玩意非常耗时。
他需要将快速淬火后定向凝固的晶锭装在退火炉，或者叫再结晶炉里，烧上七七四十九.不对，30~45天。
这个退火炉实际上就是刚才高振东给他说的那个加压不锈钢炉。
「这个过程可以消除微观层面上的组分梯度，并且消除你已经观察到的枝蔓状结构，晶粒长大形成单晶体。这个过程中，反应管或者说碲汞镉化合物的温度，要一直处在其熔点附近，但是要求比熔点低一些，10度的样子，但是不需要控制得非常精确。」
就这？没了？
俞允成感到非常出乎所料，这玩意就这样就行了？没有别的要求。
听了他的问题，高振东笑道：「对啊，没有别的要求，时间到了停下来就行，时间其实可以适当优化，但是现在我们是在做研究，所以要求你每过5天，就取出一部分样品进行检测，摸一下时间与晶体生长之间的对应关系。现在我们技术环境差，条件也不足，我觉得这个办法是最好的了，要求简单，晶体利用率也高，组分还很均匀。」
这几个特点，都是当前环境下的最优解，晶体利用率高，才能降低得了价格。
俞允成乐了，这试验，只要炉子造得好，有手丶有时间就行啊。
不过他还是问出了心中的问题：「这办法这麽简单，产品又好，那麽代价是什麽？」
任何技术都是在取舍之中前进的，就好像5G技术，在同等其他条件下，如果想要高速率，就必然要放弃广覆盖。
香农定理：你说得对。
高振东道：「这个办法长不出太大的晶体，一般直径不会大于15mm，长度只有几个厘米，但是够用了。而且还有一些其他的毛病，比如杂质，进去的时候是多少杂质，那基本上都会熔入晶体中，同时高温缺陷较多，石英管本身也有可能在晶体里形成杂质等等。但是重要的是，即使这样，只要控制得好，那这东西就能用。」
其实只要是制备体晶体的方法，不管哪一种，碲汞镉这玩意就没有能长大的，所以晶体小这个缺陷也就无所谓了，大家都一样烂，其他的在现阶段也都不是什麽大问题。
虽然不知道高振东的信心从何而来，但是见他说得这麽斩钉截铁，俞允成也非常振奋，这样看来，这个办法除了时间长点之外，在当前条件下还真就是最合适的办法了。
哪怕做实验会出现反覆，但是对于他来说，花上个半年一年的，也不是什麽大不了的事情。
虽然从高振东的要求来看，一次试验主过程大概是50来天，如果顺利的话就是两个月就搞完了，不过加上改造加压炉丶可能的失败反覆等等，高振东一开始说的半年到一年还真是不夸张。
从高振东这里拿到了下一步结晶工艺方法材料的俞允成，来也匆匆去也匆匆，没待几天。
没办法，这个项目周期实在长，每一点时间都是要节约的。
不过临走之前，他带来的同志，利用三轧厂的单晶炉，又拉了一批二氧化矽走了。
用量比较大，不太够用了。
顺便把部里批的一台单晶炉也拉走了，没错儿，作为单晶炉的参与单位，他们现在才批到一台单晶炉。
前面生产的，除了1274厂要的之外，都是就地投产，刚下线就上岗，参与到给大漠那边拉制那批矽单晶的工作里面去了。
——
这是个干劲十足丶热火朝天的年代，高振东丶俞允成他们在忙，同样的，别人也-->>
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