第370章 MOS(1/2)
60年的高考，是没有查分这一说的，反正就是考完，等着结果就行，录取通知书大概是在8月开始发。
而且以娄晓娥的情况，这年头的第一批是铁定录取不了的，所以时间还要更往后一点，这一批的特点是「可以录取机密专业」。
所以娄晓娥和高振东两人并不急，该干嘛还是干嘛，高振东上班，娄晓娥操持家务。
——
办公室里，高振东正在思考着1274厂的事情。
由于技术发展的原因，这个时候MOS（金属-氧化物-半导体）技术并没有完全成形。
1274厂的集成电路工艺，还是走的58年提出的PN结隔离的双极型半导体的路子，这也是1274厂自身能力的极限，甚至都已经有点超出了极限了。
这就让高振东陷入了纠结，是继续让1274厂走双极型半导体，还是乾脆直接上MOS技术？
两者之间并不是完全的替代关系，甚至双极型半导体比起MOS半导体来，有不少地方是有明显优势的。
比如三级管开关速度更快，可以达到的频率更高，设计阶段成本更低，内部元件精度更高等等。
对于高振东来说，他要的是可以在计算机技术方向上能发挥更大作用丶具有更大潜力的半导体技术。
所以即使集成电路在这个阶段有超小型组装丶膜集成电路等其他路线，高振东也没有考虑这些路线，这些路线有其特殊用途，并不是没有前途，可是在计算机这个方向上，它们在可以预见的时间段内，没有任何前途。
唯一的问题就是在现阶段，用双极型？还是大跨一步，直接考虑MOS？
双极型在集成逻辑门电路方面，在现阶段有其优势。
思来想去，高振东还是决定大跨一步，走MOS。
双极型的速度是更快，但是这个时候再快也快不到哪里去，其他技术支撑不上也没用，对于计算机来说，早期MOS能达到的数十MHz的速度已经完全足够了。
80年代的80286也不过20MHz，在60年代，双极型更快的开关速度对于高振东的需求来说，并没有什麽意义。
双极型内部元件精度虽然高一些，但是作为数字电路来说，只要能满足在规定的条件下完成预想的状态转移即可，元件精度高并没有什麽用处，这不是模拟电路，要求大不相同。
再说了，双极型的元件精度高，也只是相对MOS来说的，真实差距甚至连五十步笑百步都算不上。
要说在集成电路设计阶段成本低，在这个阶段就是个伪命题，人力成本在这时候不怎麽算的。
MOS还有一个毛病是某个晶片一旦定型后，修改困难，修改成本很高。
但对于高振东要做的事情来说，这个根本就不是问题。
作为大规模使用的晶片，不论是逻辑门集成电路还是CPU丶DRAM，都是定型了就不会随便修改，会大量量产的东西，所以这一点在这方面根本就不是问题。
最重要的一点是，高振东清楚的知道，打从CPU和半导体存储器一开始，就没有双极型什麽事儿，双极型做集成逻辑门电路是不错，但是用来做CPU和半导体存储器，根本用不上。
或者说，在这方面，从技术和经济角度出发，人们都从来没有青睐过双极型半导体。
Intel 4004，10μm的PMOS。
8008，10μm的PMOS。
首个4Kbit的DRAM，8μm的NMOS。
首个16Kbit的DRAM，5μm的NMOS。
大名鼎鼎的8086/8088，3μm的NMOS。
彻底巩固了Intel数十年基业的80286，1.5μm的CMOS。
至于为什麽大家都不约而同的在这个应用方向上选择了MOS技术，那就不得不说MOS的优点了。
这玩意工艺简单！比双极型简单得多，不是一星半点那种！
抛开复杂的技术原理等等不说，简单总结，以PMOS和双扩散外延双极型为例，要达到差不多同样的效果，两者工艺差别非常巨大。
PMOS外延次数1次，工艺步数最多45步，高温工艺2步，光刻最多5次。
而双扩散外延双极型的这些数字，分别是4次以上丶130步丶10步丶8次。
工序更少丶工艺更简单丶良品率更高
对于量产来说，这些特麽可都是钱呐！
而且对于现在的高振东来说，工艺步数越少，就意味着成功率越高。
两者用到的基础技术实际上是差不多的，最大的区别是在电晶体的工作原理上，所以在这个阶段的技术难度上，有了高振东当知识的搬运工-->>
本章未完，点击下一页继续阅读